UTCB |

Develoment of a Diffusion Barrier Layer for Silicon and Carbon in Molybdenum - a Phisical Vapor Deposition Approach

Tipul înregistrării:	Text tipărit: analitic (parte componentă)
Autor:	Govindarajan, S.
Responsabilitate:	S. Govindarajan
Note:	Abordare a dezvoltării stratului-barieră de difuzare pentru siliciu şi carbon în molibden: depunerea fizică a vaporilor
Limba:	Engleză
În:	METALLURGICAL and Materials Transactions. Serie A. An 1999, 30A/3A, p.799-806
Subiect:	acoperire
Subiect:	metale refractare
Subiect:	silicaţi de Mo şi Ti
Note conţinut (cuprins):	Abordare a dezvoltării stratului-barieră de difuzare pentru siliciu şi carbon în molibden: depunerea fizică a vaporilor

LDR:00717naa# 2200109## 001 164953
009 ubfixit050.037 Develoment of a Diffusion Barrier Layer for Silicon and Carbon in Molybdenum - a Phisical Vapor Deposition Approach
100 $a 20230119u########m##u1rumy50######ba
101 $a eng
200 $a Develoment of a Diffusion Barrier Layer for Silicon and Carbon in Molybdenum - a Phisical Vapor Deposition Approach $f S. Govindarajan
300 $a Abordare a dezvoltării stratului-barieră de difuzare pentru siliciu şi carbon în molibden: depunerea fizică a vaporilor
327 $a Abordare a dezvoltării stratului-barieră de difuzare pentru siliciu şi carbon în molibden: depunerea fizică a vaporilor
463 $0 144232 $o Physical Metallurgy and Materials Science $t METALLURGICAL and Materials Transactions. Serie A $v An 1999, 30A/3A, p.799-806
606 $2 UTCB $3 80719 $7 ba0yba0a $8 rumrum $a acoperire
606 $2 UTCB $3 96823 $7 ba0yba0a $8 rumrum $a metale refractare
606 $2 UTCB $3 105512 $7 ba0yba0a $8 rumrum $a silicaţi de Mo şi Ti
700 $3 28430 $a Govindarajan $b S.
801 0 $a RO $b UTCB $c 20230118 $2 unimarc

Evaluări

Exportă

Filiala de unde se ridică