- Rapid Epitaxial Growth of Conducting and Insulating III-V Compounds on (001), (110), (111)A, (311)A and (311)B Surfaces by Hybride Vapor Phase Epitaxy
-
Tipul înregistrării: Text tipărit: analitic (parte componentă) Autor: Lourdudoss, S. Responsabilitate: S. Lourdudoss Note: Creştere rapidă epitaxială a unui strat semiconductor cristalin a compuşilor buni conducători şi izolatori III-V pe suprafeţele (001), (110), (111)A, (311)A şi (311)B de către epitaxa bazei de vapori hidridă Limba: Engleză În: METALLURGICAL and Materials Transactions. Serie A. An 1999,V. 30A/4,p. 1047-1051 Subiect: creştere strat semiconductor Subiect: semiconductor electronic Subiect: semiconductori Subiect: semiconductorîn strat gros Subiect: semiconductoroptoelectronic Note conţinut (cuprins): Creştere rapidă epitaxială a unui strat semiconductor cristalin a compuşilor buni conducători şi izolatori III-V pe suprafeţele (001), (110), (111)A, (311)A şi (311)B de către epitaxa bazei de vapori hidridă
Evaluări
- Adaugă un comentariu şi faci cunoscută opinia ta!
Exportă
Filiala de unde se ridică