UTCB |

Pattern Formation during Stationary Heating and Zone Melting Recrystallization of a Silicon Thin Film

Tipul înregistrării:	Text tipărit: analitic (parte componentă)
Autor:	Kim, Tae-Wan
Responsabilitate:	T.W. Kim
Note:	Formarea modelului în timpul încălzirii staţionare şi recristalizarea zonei topite în cazul unei pelicule subţiri siliconice
Limba:	Engleză
În:	METALLURGICAL and Materials Transactions. Serie A. An 1999,V. 30A/3A,p. 807-813
Subiect:	cristale de Si
Subiect:	film din cristale de Si
Subiect:	interfaţă solid-lichid pentru Si
Subiect:	proces recristalizare Si
Note conţinut (cuprins):	Formarea modelului în timpul încălzirii staţionare şi recristalizarea zonei topite în cazul unei pelicule subţiri siliconice

LDR:00696naa# 2200109## 001 171756
009 ubfixit050.037 Pattern Formation during Stationary Heating and Zone Melting Recrystallization of a Silicon Thin Film
100 $a 20230119u########m##u1rumy50######ba
101 $a eng
200 $a Pattern Formation during Stationary Heating and Zone Melting Recrystallization of a Silicon Thin Film $f T.W. Kim
300 $a Formarea modelului în timpul încălzirii staţionare şi recristalizarea zonei topite în cazul unei pelicule subţiri siliconice
327 $a Formarea modelului în timpul încălzirii staţionare şi recristalizarea zonei topite în cazul unei pelicule subţiri siliconice
463 $0 144232 $o Physical Metallurgy and Materials Science $t METALLURGICAL and Materials Transactions. Serie A $v An 1999,V. 30A/3A,p. 807-813
606 $2 UTCB $3 87185 $7 ba0yba0a $8 rumrum $a cristale de Si
606 $2 UTCB $3 91008 $7 ba0yba0a $8 rumrum $a film din cristale de Si
606 $2 UTCB $3 93890 $7 ba0yba0a $8 rumrum $a interfaţă solid-lichid pentru Si
606 $2 UTCB $3 101686 $7 ba0yba0a $8 rumrum $a proces recristalizare Si
700 $3 37370 $a Kim $b Tae-Wan
801 0 $a RO $b UTCB $c 20230118 $2 unimarc

Evaluări

Exportă

Filiala de unde se ridică